磁控方箱生产线介绍
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标： 极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10Pa（短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气）
镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜； 样品基片: 负偏压-200V
样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位镀膜。
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小型磁控溅射镀膜系统简介
小型磁控溅射镀膜系统适合于快速溅射镀膜科研、教学与小批量打样，可快速、低成本的制备多种微纳米厚度的膜层。
具有一体化、占用空间小、灵活的特点，无需380V工业电，无需额外冷水机，采用无油干泵分子泵组，无需操心真空系统和操作间环境泵油污染。
保证设备具有优异的质量与性。触摸屏控制界面，带来简单、操作方便的体验。
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磁控溅射镀膜机导致不均匀因素哪些？
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原理上讲，两点：气场和磁场
磁控溅射在0.4Pa的气压情况下离子撞击靶材，磁控溅射机报价，溅射出粒子沉积到基材上，整体靶材的电压几乎一致，不影响溅射速率。
0.4Pa的气场情况是溅射速率较高的情况，气场变化，压强变大和变小都会影响溅射速率。
磁场大，束缚的自由电子增多，溅射速率增大，磁场小，束缚的自由电子就少，溅射速率降低。
稳定住气场和磁场，溅射速率也将随之稳定。
在实际情况下，气场稳定，磁控溅射机，需要设计布气系统，将布气系统分级布置，保障镀膜机腔体内不同位置的进气量相同，同时，布气系统、靶材、基材等要远离镀膜机的抽气口。需要稳定磁场，用高斯计测量靶材表面磁场强度，由于磁场线本身是闭合曲线，靶材磁场回路两端磁场强度自然比中间位置强，可以选择用弱磁铁，同时，基材要避开无法调整的磁场变化较大的部分。
另外，在设备结构设计方面，磁控溅射机价格，磁控溅射过程中，磁控溅射机公司，需要基材与靶材保持同轴，如果旋转、直线运行的话，也要同轴旋转、直线运行。
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