在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，抚顺银焊料，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
稀土矿冶炼方法有两种，即湿法冶金和火法冶金。
湿法冶金属化工冶金方式，全流程大多处于溶液、溶剂之中，如稀土精矿的分解、稀土氧化物、稀土化合物、单一稀土金属的分离和提取过程就是采用沉淀、结晶、氧化还原、溶剂萃取、离子交换等化学分离工艺过程。现应用较普遍的是溶剂萃取法，它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。湿法冶金流程复杂，产品纯度高，该法生产成品应用面广阔。
钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，银焊料价格，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，W/Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al 、Cu 和Ag等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应，银焊料厂，与介质层的粘结性差，易扩散进入Si 与SiO2等器件的衬底材料中，银焊料厂家，并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物，充当了杂质的角色，使器件的性能大幅度下降。
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