MBE分子束外延法介绍
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分子束外延是种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内，分子束外延设备价格，源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解，电子束加热蒸发等方法，产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后，经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。生长系统配有多种监控设备，分子束外延设备厂家，可对生长过程中衬底温度，生长速度，膜厚等进行瞬时测量分析。对表面凹凸、起伏、原子覆盖度、黏附系数、蒸发系数及表面扩散距离等生长细节进行准确监控。由于MBE的生长环境洁净、温度低、具有准确的原位实时监测系统、晶体完整性好、组分与厚度均匀准确，是良好的光电薄膜，半导体薄膜生长工具。
MBE分子束外延的特点
分子束外延与其他外延方法相比具有如下的特点：
1）源和衬底分别进行加热和控制，生长温度低，如GaAs可在500摄氏度左右生长，可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与外延层中的杂质的扩散，分子束外延设备，可得到杂质分布陡峭的外延层；
2）生长速度低，可以利用快门精密的控制掺杂、组合和厚度，是一种原子级的生长技术，有利于生长多层异质结构；
3）MBE生长不是在热平衡条件下进行的，是一个动力学过程，因此可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体；
4）生长过程中，表面处于真空中，利用附设的设备可以进行原位（即时）观测，分析、研究生长过程、组分、表面状态等。
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什么是MBE分子束外延技术？
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分子束外延技术
分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，分子束外延设备生产厂家，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。
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