沈阳鹏程真空技术公司 化学气相沉积设备

化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

I) 沉积物种类多:可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，化学气相沉积设备，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2)CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3)能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4)由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，化学气相沉积设备哪家好，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5)利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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物理气相沉积和化学气相沉积的区别

化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。

物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。

物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。

化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的绕射性好

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PCVD与传统CVD技术的区别

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PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。

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