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澎湃微产品PT32x00x电源控制(PWR)

更新:2022-07-06 15:50 发布者IP:113.232.32.211 浏览:0次
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澎湃微产品 国产单片机 低功耗MCU 澎湃微单片机
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产品详细介绍

3电源控制(PWR)

3.1综述

PWR列举了芯片内部与电源相关的所有资源,包括内部的电源电压调节器、可编程的电源电压监测器、低功耗模式。

3.2特性

l集成的电源调节器,提供3 路内部电源、均可通过 ADC 内部通道进行访问:

uBG1v5 1.5V精度5%

uBG1v2 1.2V精度5%

uBG1v0 1.0V精度0.5%

l多挡位、支持复位或中断的可编程电源电压检测器

l在低功耗模式下,提供两种低功耗模式:

u睡眠模式

u深度睡眠模式

l深度睡眠下、典型功耗仅为0.8uA

3.3电源调节器

PT32x00x支持在超宽电压范围内工作、工作电压(VDD)详见《PT32x00x数据手册》。通过内置的电源调节器提供内部所需的1.5V电源BG1v5、1.2V参考电源BG1v2以及1.0V参考电源BG1v0。所有的内部电源均可通过 ADC 内部通道进行访问、详见 ADC(控制寄存器ADC_CR)的”CHS”位描述。

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3.3.1电源调节器

复位后电源调节器总是使能的。根据系统运行状态、它以2 种不同的模式工作。

1.运行模式:调节器以正常功耗模式提供BG1v5、BG1v2、BG1v0 三路电源;BG1v5 作为核 心电源共给内部 CPU、存储器和数字外设,并且与 BG1v2、BG1v0 一起接入 ADC 的内部模拟通道中.

2.低功耗模式:提供睡眠和深度睡眠两种低功耗模式,电源调节器将递进的关闭片内电源、时钟、外设,以使系统功耗大大降低。

3.3.2电源复位条件

PT32x00x内部有一个完整的上电复位(PUR)和掉电复位(PDR)电路,当 VDD 电压达到工作电压时系统就能正常工作。 当VDD低于指定的限位电压VPUR/VPDR时,系统保持为复位状态。

3.3.3可编程的电源电压监测器(PVD)

用户可以利用PVD对 VDD 电压进行监测,(电源电压监测器配置寄存器 PWR_PVDR)中的”PLS”位用于设定 PVD 监控 VDD 电压的阈值。通过将(PWR_PVDR 寄存器)中的 PVDE 位置’1’以使能 PVD。

PVD事件支持用户通过复位和中断两种形式进行访问,其对应的中断事件在内部被连接到NVIC的第20号中断,如果该中断在系统中断使

能寄存器ISER中被使能,一旦发生该事件、NVIC 就会响应 PVD 的中断请求。PVD 事件的触发/解除机制由硬件自动控制,当 VDD 下降到”PLS 位”所设定的阈值时,PVD 中断被触发,当 VDD 上升到 PVDUV 时,PVD 中断被解除。这一特性可用于用于执行紧急关闭任务。

3.4低功耗模式

系统或电源复位以后,系统处于运行模式。当系统无需继续运行时,可以利用多种低功耗模式来节省功耗;例如等待某个外部事件时,用户可以根据低电源消耗、唤醒时间和可用的唤醒源等条件,选定一个佳的低功耗模式。

PT32x00x提供了两种低功耗模式:

l睡眠状态(Cortex™-M0 内核停止,但包括 Cortex-M0 核心的外设在内的所有外设,如NVIC、SysTick等仍在运行,IFMC 无法访问)

l深度睡眠状态(除 LSI 外的所有时钟均已停止工作,相关的片内电源以及外设被强制关闭)。此外,在运行模式下,还可以通过以下方式降低功耗:

l失能未被使用的时钟源

l失能未被使用但已被使能的外设。

l将不使用的GPIO做内部下拉处理

3.4.1进入低功耗模式

通过将配置系统控制寄存器(SCR)中的 SLP 位置’1’以选定系统进入低功耗模式时、系统处于睡眠状态还是深度睡眠状态。系统进入低功耗模式有两种方法:

l执行WFI或 WFE 指令以进入低功耗模式

l将系统控制寄存器(SCR)中的 SOE 位置’1’,当系统从低优先级的中断处理程序中退出时,立即进入低功耗模式

注意:进入低功耗模式前,应该将所有未使用到的管脚配置为下拉输入,并清除所有管脚的复用功能可使系统功耗得到大优化。

3.4.2睡眠状态

表3-1罗列了系统处于睡眠状态时、片内资源的工作状态。如需优化功耗、在进入睡眠状态前,用户可手动关闭无需在低功耗模式下工作的外设以降低功耗。

3.4.3深度睡眠状态

表3-1罗列了系统处于深度睡眠状态时、片内资源的工作状态。在深度睡眠状态下,只有LSI时钟挂载的外设可以正常运行,内核的寄存器、内存的信息仍保存,程序在唤醒后仍从上一次停止处执行;除表3-1所罗列的在深度睡眠状态下被强制关闭外设外,其他外设均不会被强制关闭,在运行模式下使能的外设、在进入深度睡眠前应该手动关闭以避免额外功耗;如需进一步的优化功耗,可将LSI时钟关闭,但LSI时钟挂载外设将无法工作,此时、低功耗

模式的唤醒仅支持外部中断唤醒。

注意:GPIO 外部中断唤醒深度睡眠时,仅支持双沿中断、高电平中断和低电平中断。

3.4.4唤醒方式

当系统处于低功耗模式时,如果是睡眠状态,根据进入低功耗模式的指令,有相应的唤醒方式:

lWFI指令:任意一个被NVIC响应的外设中断都能将系统从睡眠模式唤醒。

lWFE指令:包括所有中断在内、所有内核支持的事件特别地、当(系统控制寄存器SCR)的”SWC”位为’1’时:所有中断或事件均可唤醒。

注意:使用WFE唤醒睡眠状态,需要在(中断挂起清除寄存器ICPR)中清除相应的挂起标志。

如果是深度睡眠状态,根据进入低功耗模式的方法,有相应的唤醒方式:

lWFI指令:LSI时钟挂载外设的中断或者外部中断

lWFE指令:LSI时钟挂载外设的中断、外部中断、复位事件或调试模式请求事件特别地、当(系统控制寄存器SCR)的”SWC”位为’1’时:LSI 时钟挂载外设的中断、外部中断、复位事件或者调试模式请求事件均可唤醒。


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